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PTFB212503EL V1 R250

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 H-33288-6
數量：
 3330  
說明：
 射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS FETs 240W 2110-2170 MHz
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PTFB212503EL V1 R250 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：FB212503ELV1R25NT PTFB212503ELV1R250XTMA1 SP000667592
系列：PTFB212503
安裝風格：SMD/SMT
封裝形式：H-33288-6
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：10 V
漏極連續電流：1.85 A
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：55 W
增益：18 dB
頻率：2.17 GHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
制造商：Infineon

以上是PTFB212503EL V1 R250的詳細信息，包括PTFB212503EL V1 R250廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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