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PTFA260851EV1R250

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 H-30248-2
數量：
 2961  
說明：
 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 9
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PTFA260851EV1R250 PDF參數資料

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中文參數如下：

功率耗散：437.5 W
安裝風格：SMD/SMT
包裝形式：Reel
封裝形式：H-30248-2
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：12 V
漏極連續電流：900 mA
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：85 W
增益：14 dB
頻率：2.7 GHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

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