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PTFA212001E V4

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 H-36260-2
數量:
 6039  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8
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PTFA212001E V4 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:FA212001EV4XP PTFA212001EV4XWSA1 SP000376078
工廠包裝數量:35
系列:PTFA212001
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.05 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散:625 W
安裝風格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 40 C
包裝形式:Tray
封裝形式:H-36260-2
最大工作溫度:+ 150 C
閘/源擊穿電壓:12 V
漏極連續電流:1.6 A
汲極/源極擊穿電壓:65 V
輸出功率:200 W
增益:15.8 dB
頻率:2170 MHz
晶體管極性:N-Channel
配置:Single
產品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:Infineon

以上是PTFA212001E V4的詳細信息,包括PTFA212001E V4廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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