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PTFA210451E V1

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 H-30265-2
數(shù)量:
 2880  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 RF POWER 45W
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PTFA210451E V1-H-30265-2圖片

PTFA210451E V1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:1
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.91 Ohms
功率耗散:211 W
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最小工作溫度:- 40 C
包裝形式:Tray
封裝形式:H-30265-2
最大工作溫度:+ 150 C
閘/源擊穿電壓:12 V
漏極連續(xù)電流:450 mA
汲極/源極擊穿電壓:65 V
輸出功率:45 W
增益:16.5 dB
頻率:2170 MHz
晶體管極性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:Infineon

以上是PTFA210451E V1的詳細信息,包括PTFA210451E V1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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