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PSMN8R5-60YS,115

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 SC-100,SOT-669
數量:
 3839  
說明:
 MOSFET N-CHANNEL 60V STD LEVEL MOSFET
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PSMN8R5-60YS,115-SC-100,SOT-669圖片

PSMN8R5-60YS,115 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:32.4 ns
工廠包裝數量:1500
上升時間:13.7 ns
功率耗散:106 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:39 nC
下降時間:9.2 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-669
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):12.8 mOhms
漏極連續電流:76 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:NXP

以上是PSMN8R5-60YS,115的詳細信息,包括PSMN8R5-60YS,115廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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