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PSMN6R0-25YLB,115

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 LFPAK56,Power-SO8
數量:
 522  
說明:
 MOSFET N-CH 25 V 6.1 MOHMS LOGIC LEVEL MOSFET
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PSMN6R0-25YLB,115-LFPAK56,Power-SO8圖片

PSMN6R0-25YLB,115 PDF參數資料

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中文參數如下:

工廠包裝數量:1500
功率耗散:58 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:9 nC
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-669-4
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):6.1 mOhms at 10 V
漏極連續電流:73 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:25 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:NXP

以上是PSMN6R0-25YLB,115的詳細信息,包括PSMN6R0-25YLB,115廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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