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PSMN4R6-60BS,118

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 387
說明：: MOSFET Std N-chanMOSFET

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PSMN4R6-60BS,118-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

PSMN4R6-60BS,118 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：800
功率耗散：211 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：4.4 mOhms
漏極連續(xù)電流：100 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

以上是PSMN4R6-60BS,118的詳細(xì)信息，包括PSMN4R6-60BS,118廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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