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PSMN4R1-60YLX

廠家:
  Nexperia USA Inc.
封裝:
 LFPAK56,Power-SO8
數量:
 5481  
說明:
 MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
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PSMN4R1-60YLX-LFPAK56,Power-SO8圖片

PSMN4R1-60YLX PDF參數資料

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中文參數如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):238W(Ta)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):7853 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):103 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):4.1 毫歐 @ 25A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):100A(Ta)
漏源電壓(Vdss):60 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態:在售
包裝:TrenchMOS?
系列:卷帶(TR)
品牌:Nexperia USA Inc.

以上是PSMN4R1-60YLX的詳細信息,包括PSMN4R1-60YLX廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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