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PSMN3R0-60ES,127

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: I2PAK
數(shù)量：: 4158
說明：: MOSFET N-Ch 60V 3 Standard level MOSFET

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PSMN3R0-60ES,127 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：77 ns
工廠包裝數(shù)量：50
上升時間：26 ns
功率耗散：306 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：130 nC
下降時間：22 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：I2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3 mOhms
漏極連續(xù)電流：83.4 A
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

以上是PSMN3R0-60ES,127的詳細信息，包括PSMN3R0-60ES,127廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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