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PSMN2R6-60PSQ

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 13834
說(shuō)明：: MOSFET N-Channel MOSFET

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PSMN2R6-60PSQ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：87 ns
上升時(shí)間：50 ns
功率耗散：326 W
柵極電荷 Qg：140 nC
下降時(shí)間：58 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風(fēng)格：Through Hole
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：5.6 mOhms
漏極連續(xù)電流：150 A
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

以上是PSMN2R6-60PSQ的詳細(xì)信息，包括PSMN2R6-60PSQ廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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