色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > PSMN1R6-30BL,118

PSMN1R6-30BL,118

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: D2PAK
數(shù)量：: 8748
說明：: MOSFET Std N-chanMOSFET

一、本商品被瀏覽0次.

PSMN1R6-30BL,118 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：800
功率耗散：306 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.9 mOhms
漏極連續(xù)電流：100 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

以上是PSMN1R6-30BL,118的詳細(xì)信息，包括PSMN1R6-30BL,118廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ