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PN4356

廠家：: Central Semiconductor
封裝：: TO-92
數(shù)量：: 10143
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SW

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PN4356 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：2500
包裝形式：Box
最大功率耗散：625 mW
集電極連續(xù)電流：0.45 A
封裝形式：TO-92
安裝風格：Through Hole
直流集電極/Base Gain hfe Min：50 at 10 mA at 10 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：100 MHz
集電極—射極飽和電壓：80 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：80 V
集電極—基極電壓 VCBO：80 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

以上是PN4356的詳細信息，包括PN4356廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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