色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > PMST5550 T/R

PMST5550 T/R

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SOT-323
數量：: 1125
說明：: 兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE-7

一、本商品被瀏覽0次.

PMST5550 T/R PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：PMST5550,115
工廠包裝數量：3000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：200 mW
集電極連續電流：0.3 A
封裝形式：SOT-323
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：60 at 1 mA at 5 V
增益帶寬產品fT：300 MHz
集電極—射極飽和電壓：6 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：140 V
集電極—基極電壓 VCBO：160 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：NXP

以上是PMST5550 T/R的詳細信息，包括PMST5550 T/R廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：