色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > PHN210 /T3

PHN210 /T3

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SO-8
數(shù)量：: 2097
說明：: MOSFET TAPE13 MOSFET

一、本商品被瀏覽0次.

PHN210 /T3 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：PHN210,118
典型關(guān)閉延遲時間：21 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：8 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 65 C
下降時間：15 ns
包裝形式：Reel - 13 in
封裝形式：SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.1 Ohms
漏極連續(xù)電流：3.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是PHN210 /T3的詳細信息，包括PHN210 /T3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1