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PHM12NQ20T,518

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: 8-HVSON（5x6）
數量：: 4806
說明：: MOSFET N-CH 200V 14.4A SOT685-1

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PHM12NQ20T,518 PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C130 毫歐 @ 12A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)200V
Id 時的 Vgs(th)（最大）4V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C14.4A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 1230pF @ 25V
功率 - 最大62.5W
安裝類型表面貼裝

以上是PHM12NQ20T,518的詳細信息，包括PHM12NQ20T,518廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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