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PHB95NQ04LT,118

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 D2PAK
數量:
 4347  
說明:
 MOSFET TRENCHMOS (TM) FET
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PHB95NQ04LT,118-D2PAK圖片

PHB95NQ04LT,118 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:108 ns
工廠包裝數量:800
上升時間:106 ns
功率耗散:157 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:89 ns
包裝形式:Reel - 13 in
封裝形式:D2PAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.007 Ohms
漏極連續電流:75 A
閘/源擊穿電壓:+/- 15 V
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
制造商:NXP

以上是PHB95NQ04LT,118的詳細信息,包括PHB95NQ04LT,118廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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