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PHB193NQ06T,118

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: D2PAK
數量：: 4113
說明：: MOSFET TRENCHMOS (TM) FET

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PHB193NQ06T,118 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：71 ns
工廠包裝數量：800
上升時間：51 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：41 ns
包裝形式：Reel - 13 in
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.004 Ohms
漏極連續電流：75 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：55 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：NXP

以上是PHB193NQ06T,118的詳細信息，包括PHB193NQ06T,118廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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