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PH1825AL,115

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 LFPAK56,Power-SO8
數(shù)量:
 3096  
說明:
 MOSFET N-CH TrenchMOS logic level FET
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PH1825AL,115-LFPAK56,Power-SO8圖片

PH1825AL,115 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:54 ns
工廠包裝數(shù)量:1500
上升時(shí)間:72 ns
功率耗散:104 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:31 nC
下降時(shí)間:29 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-669
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):1.8 mOhms
漏極連續(xù)電流:100 A
汲極/源極擊穿電壓:25 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:NXP

以上是PH1825AL,115的詳細(xì)信息,包括PH1825AL,115廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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