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PEMT1,315

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 SOT-666
數(shù)量:
 5481  
說明:
 兩極晶體管 - BJT 40V 200mW 2xPNP gen purpose transist
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PEMT1,315-SOT-666圖片

PEMT1,315 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
認(rèn)證機(jī)構(gòu):
封裝封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:150°C(TJ)
頻率 - 躍遷:100MHz
功率 - 最大值:300mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V
電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):200mV @ 5mA,50mA
電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA
晶體管類型:2 PNP(雙)
產(chǎn)品狀態(tài):不適用于新設(shè)計(jì)
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:Nexperia USA Inc.

以上是PEMT1,315的詳細(xì)信息,包括PEMT1,315廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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