色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > PDTB114ETVL

PDTB114ETVL

廠家：: Nexperia USA Inc.
封裝：: TO-236AB
數量：: 5517
說明：: TRANS PREBIAS PNP 0.46W

一、本商品被瀏覽0次.

PDTB114ETVL PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
供應商器件：TO-236AB
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安裝類型：表面貼裝型
功率 - 最大值：320 mW
頻率 - 躍遷：140 MHz
電流 - 集電極截止（最大值）：500nA
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：100mV @ 2.5mA，50mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：70 @ 50mA，5V
電阻器 - 發射極 (R2)：10 kOhms
電阻器 - 基極 (R1)：10 kOhms
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：500 mA
晶體管類型：PNP - 預偏壓
產品狀態：在售
包裝：Automotive, AEC-Q100
系列：卷帶（TR）
品牌：Nexperia USA Inc.

以上是PDTB114ETVL的詳細信息，包括PDTB114ETVL廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：