色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > PDTA115ES,126

PDTA115ES,126

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: TO-92-3
數量：: 6498
說明：: 開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS BISS AMMO LARGE

一、本商品被瀏覽0次.

PDTA115ES,126 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：2000
最小工作溫度：- 65 C
包裝形式：Ammo Pack
最大工作溫度：+ 150 C
峰值直流集電極電流：20 mA
集電極—發射極最大電壓 VCEO：50 V
封裝形式：SPT-3
安裝風格：SMD/SMT
典型電阻器比率：1
典型輸入電阻器：100 KOhms
晶體管極性：PNP
配置：Single
制造商：NXP

以上是PDTA115ES,126的詳細信息，包括PDTA115ES,126廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：