色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > PD20010TR-E

PD20010TR-E

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: PowerSO-10RF（成形引線）
數量：: 8955
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 RF power tran LdmoST N-chann

一、本商品被瀏覽0次.

PD20010TR-E PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝：PowerSO-10RF（成形引線）
封裝/外殼：PowerSO-10RF 裸露底部焊盤（2 條成形引線）
安裝類型：-
電壓 - 額定：40 V
功率 - 輸出：10W
電流 - 測試：150 mA
噪聲系數：-
額定電流（安培）：5A
電壓 - 測試：13.6 V
增益：11dB
頻率：2GHz
配置：-
技術：LDMOS
產品狀態：停產
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：STMicroelectronics

以上是PD20010TR-E的詳細信息，包括PD20010TR-E廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ