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PBSS5630PA,115

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: 3-HUSON（2x2）
數(shù)量：: 6289
說明：: 兩極晶體管 - BJT 30V 6A PNP LO VCEsat TRANSISTOR

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PBSS5630PA,115 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應商器件：
封裝封裝/外殼：3-PowerUDFN
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：80MHz
功率 - 最大值：2.1 W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：190 @ 2A，2V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：350mV @ 300mA，6A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：30 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：6 A
晶體管類型：PNP
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：Nexperia USA Inc.

以上是PBSS5630PA,115的詳細信息，包括PBSS5630PA,115廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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