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PBSS5130T T/R

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SOT-23
數量：: 8487
說明：: 兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7

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PBSS5130T T/R PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：PBSS5130T,215
工廠包裝數量：3000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 65 C
最大功率耗散：480 mW
集電極連續電流：1 A
封裝形式：SOT-23
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：300 at 100 mA at 2 V
增益帶寬產品fT：200 MHz
集電極—射極飽和電壓：5 V
發射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：30 V
集電極—基極電壓 VCBO：30 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：NXP

以上是PBSS5130T T/R的詳細信息，包括PBSS5130T T/R廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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