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PBSS4160DS,115

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 SC-74-6
數量:
 4922  
說明:
 兩極晶體管 - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS
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PBSS4160DS,115-SC-74-6圖片

PBSS4160DS,115 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:PBSS4160DS T/R
工廠包裝數量:3000
包裝形式:Reel
最小工作溫度:- 65 C
最大功率耗散:290 mW
直流電流增益 hFE 最大值:250 at 1 mA at 5 V
集電極連續電流:1 A
封裝形式:SC-74-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:100
增益帶寬產品fT:220 MHz
最大直流電集電極電流:2 A
發射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO:60 V
集電極—基極電壓 VCBO:80 V
晶體管極性:NPN
配置:Dual
RoHS:是
產品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:NXP

以上是PBSS4160DS,115的詳細信息,包括PBSS4160DS,115廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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