色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > PBSS3515E,135

PBSS3515E,135

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SC-75
數量：: 4401
說明：: MOSFET 15 V, 0.5 A PNP LOW VCESAT TRANSISTOR

一、本商品被瀏覽0次.

PBSS3515E,135 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
供應商器件：
封裝封裝/外殼：SC-75，SOT-416
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：280MHz
功率 - 最大值：250 mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：150 @ 100mA，2V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：250mV @ 50mA，500mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：15 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：500 mA
晶體管類型：PNP
產品狀態：停產
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：NXP USA Inc.

以上是PBSS3515E,135的詳細信息，包括PBSS3515E,135廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：