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NVR1P02T1G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
數量:
 14646  
說明:
 MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET
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NVR1P02T1G-TO-236-3,SC-59,SOT-23-3圖片

NVR1P02T1G PDF參數資料

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中文參數如下:

功率耗散:400 mW
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-23
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):148 mOhm
漏極連續電流:- 1 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor

以上是NVR1P02T1G的詳細信息,包括NVR1P02T1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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