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NVMFS4C302NWFT1G

廠家：: onsemi
封裝：: 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
數(shù)量：: 2727
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 30V 43A/241A 5DFN

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NVMFS4C302NWFT1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3.75W（Ta），115W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：5780 pF @ 15 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：82 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.15 毫歐 @ 30A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：43A（Ta），241A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：30 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

以上是NVMFS4C302NWFT1G的詳細(xì)信息，包括NVMFS4C302NWFT1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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