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NTMSD6N303R2SG

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SOIC
數量：: 7983
說明：: MOSFET NFET 30V 6A .024R

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NTMSD6N303R2SG PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：45 ns, 22 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：22 ns, 27 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：45 ns, 34 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.032 Ohms
漏極連續電流：6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTMSD6N303R2SG的詳細信息，包括NTMSD6N303R2SG廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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