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NTMFS010N10GTWG

廠家：: onsemi
封裝：: 8-PQFN（5x6）
數(shù)量：: 2484
說明：: 100V MVSOA IN PQFN56 PACKAGE

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NTMFS010N10GTWG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3950 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：58.5 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 164μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：10.8 毫歐 @ 31A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：11A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

以上是NTMFS010N10GTWG的詳細(xì)信息，包括NTMFS010N10GTWG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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