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NTMD6N02R2G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 19537
說(shuō)明：: MOSFET NFET 20V 0.035R TR

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NTMD6N02R2G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：45 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：35 ns, 50 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：10 S
下降時(shí)間：60 ns, 80 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.035 Ohms
漏極連續(xù)電流：5.07 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTMD6N02R2G的詳細(xì)信息，包括NTMD6N02R2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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