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NTMD2C02R2G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 6561
說明：: MOSFET 20V 5.2A Complementary

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NTMD2C02R2G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：45 ns, 35 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：50 ns, 40 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：3 S
下降時間：80 ns, 35 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：43 mOhms, 100 mOhms
漏極連續(xù)電流：5.2 A, - 3.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：+/- 20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTMD2C02R2G的詳細(xì)信息，包括NTMD2C02R2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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