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NTLJD3115PT1G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 6-WDFN(2x2)
數(shù)量:
 15059  
說明:
 MOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
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NTLJD3115PT1G-6-WDFN(2x2)圖片

NTLJD3115PT1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:13.7 ns, 19.8 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時間:13.2 ns, 15 ns
功率耗散:1500 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:13.2 ns, 15 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:DFN-6, 2 x 2
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):100 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流:3.3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NTLJD3115PT1G的詳細(xì)信息,包括NTLJD3115PT1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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