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NTHD4N02FT1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: ChipFET?
數量：: 4986
說明：: MOSFET 20V 3.9A N-Channel w/3.7A Schottky

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NTHD4N02FT1G PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：10 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：9 ns
功率耗散：0.91 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：6 S
下降時間：9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：ChipFET-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.08 Ohms
漏極連續電流：3.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTHD4N02FT1G的詳細信息，包括NTHD4N02FT1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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