色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > NTHD3100CT3G

NTHD3100CT3G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: ChipFET?
數量：: 4725
說明：: MOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary

一、本商品被瀏覽0次.

NTHD3100CT3G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：9.6 ns at N Channel, 16 ns at P Channel
工廠包裝數量：10000
上升時間：10.7 ns at N Channel, 11.7 ns at P Channel
功率耗散：1.1 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：6 S, 8 S
下降時間：10.7 ns at N Channel, 11.7 ns at P Channel
包裝形式：Reel
封裝形式：ChipFET-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：58 mOhms, 64 mOhms
漏極連續電流：3.9 A, - 4.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V, +/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V, - 20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTHD3100CT3G的詳細信息，包括NTHD3100CT3G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ