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NTD4809NH-35G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-251-3 短截引線，IPak
數(shù)量：: 1953
說明：: MOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM

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NTD4809NH-35G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：14 ns, 22 ns
工廠包裝數(shù)量：75
上升時間：20 ns, 18 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：5 ns, 3 ns
包裝形式：Rail
封裝形式：IPAK
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.009 Ohms
漏極連續(xù)電流：11.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD4809NH-35G的詳細信息，包括NTD4809NH-35G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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