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NTD23N03R-1G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 I-PAK
數量:
 909  
說明:
 MOSFET 25V 23A N-Channel
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NTD23N03R-1G-I-PAK圖片

NTD23N03R-1G PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:9.9 ns
工廠包裝數量:75
上升時間:14.9 ns
功率耗散:16.4 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :13 S
下降時間:2 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:DPAK-SL
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.032 Ohms
漏極連續電流:23 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:25 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NTD23N03R-1G的詳細信息,包括NTD23N03R-1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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