色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > NSVEMD4DXV6T5G

NSVEMD4DXV6T5G

廠家：: onsemi
封裝：: SOT-563
數(shù)量：: 13004
說明：: TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563

一、本商品被瀏覽0次.

NSVEMD4DXV6T5G PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：表面貼裝型
功率 - 最大值：500mW
頻率 - 躍遷：-
電流 - 集電極截止（最大值）：500nA
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：80 @ 5mA，10V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)：47 千歐
電阻器 - 基極 (R1)：47 千歐，10 千歐
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙）
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：onsemi

以上是NSVEMD4DXV6T5G的詳細(xì)信息，包括NSVEMD4DXV6T5G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：