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NSVBC858CLT1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SOT-23-3（TO-236）
數量：: 9007
說明：: 兩極晶體管 - BJT

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NSVBC858CLT1G PDF參數資料

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中文參數如下：
供應商器件：
封裝封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：100MHz
功率 - 最大值：300 mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：420 @ 2mA，5V
電流 - 集電極截止（最大值）：15nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：650mV @ 5mA，100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：30 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100 mA
晶體管類型：PNP
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：onsemi

以上是NSVBC858CLT1G的詳細信息，包括NSVBC858CLT1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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