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NST847BPDP6T5G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SOT-963
數量：: 11631
說明：: 兩極晶體管 - BJT DUAL COMP GP TRANS SOT963

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NST847BPDP6T5G PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：8000
包裝形式：Reel
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：420 mW
直流電流增益 hFE 最大值：200 at 2 mA at 5 V
封裝形式：SOT-963
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：200 at 2 mA at 5 V at NPN, 220 at 2 mA at 5 V at PNP
增益帶寬產品fT：100 MHz
最大直流電集電極電流：0.1 A
發射極 - 基極電壓 VEBO：6 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：45 V
集電極—基極電壓 VCBO：50 V
晶體管極性：NPN/PNP
配置：Dual
RoHS：是
產品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是NST847BPDP6T5G的詳細信息，包括NST847BPDP6T5G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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