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NSS1C200MZ4T1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SOT-223（TO-261）
數(shù)量：: 6364
說明：: 兩極晶體管 - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN

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NSS1C200MZ4T1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：120MHz
功率 - 最大值：800 mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 500mA，2V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：220mV @ 200mA，2A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：100 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：2 A
晶體管類型：PNP
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：onsemi

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