色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > NGTD21T65F2SWK

NGTD21T65F2SWK

廠家：: onsemi
封裝：: 模具
數(shù)量：: 720
說(shuō)明：: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

一、本商品被瀏覽0次.

NGTD21T65F2SWK PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：模具
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
測(cè)試條件：-
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：-
柵極電荷：-
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量：-
功率 - 最大值：-
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，45A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：200 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：onsemi

以上是NGTD21T65F2SWK的詳細(xì)信息，包括NGTD21T65F2SWK廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產(chǎn)品：

FS100R12W2T7BOMA1

F3L150R07W2H3B11BPSA1

FF300R08W2P2B11ABOMA1