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NESG2101M05-A

廠家：
  CEL
封裝：
 M05
數量：
 7173  
說明：
 射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq
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NESG2101M05-A-M05圖片

NESG2101M05-A PDF參數資料

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中文參數如下：

最大工作溫度：+ 150 C
封裝形式：SOT-343
安裝風格：SMD/SMT
功率耗散：175 mW
集電極連續電流：35 mA
發射極 - 基極電壓 VEBO：1.5 V
RoHS：是
產品種類：射頻硅鍺晶體管
制造商：CEL

以上是NESG2101M05-A的詳細信息，包括NESG2101M05-A廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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