色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<s id="s22ka"><tbody id="s22ka"></tbody></s><abbr id="s22ka"><code id="s22ka"></code></abbr><s id="s22ka"></s><s id="s22ka"></s>

<pre id="s22ka"></pre>

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > NE85619-T1-A

NE85619-T1-A

廠家：: CEL
封裝：: SOT-523
數(shù)量：: 6570
說明：: 射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor

一、本商品被瀏覽0次.

NE85619-T1-A PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：3000
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 65 C
增益帶寬產(chǎn)品fT：4.5 GHz
直流電流增益 hFE 最大值：160
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-23
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：100 mW
集電極連續(xù)電流：100 mA
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：3 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：12 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：射頻雙極小信號(hào)晶體管
制造商：CEL

以上是NE85619-T1-A的詳細(xì)信息，包括NE85619-T1-A廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：