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NE651R479A-EVPW19

廠家：
  CEL
封裝：
 79A
數量：
 846  
說明：
 射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 1.9 GHz
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NE651R479A-EVPW19-79A圖片

NE651R479A-EVPW19 PDF參數資料

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中文參數如下：

P1dB：27 dBm
封裝形式：79A
安裝風格：SMD/SMT
功率耗散：2.5 W
最大工作溫度：+ 125 C
漏極連續電流：1 A
閘/源擊穿電壓：- 4 V
漏源電壓 VDS：8 V
增益：12 dB
頻率：1.9 GHz
技術類型：HEMT
RoHS：否
產品種類：射頻GaAs晶體管
制造商：CEL

以上是NE651R479A-EVPW19的詳細信息，包括NE651R479A-EVPW19廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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