點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

封裝形式：Outline18
安裝風格：SMD/SMT
功率耗散：150 mW
最大工作溫度：+ 125 C
漏極連續電流：40 mA
閘/源擊穿電壓：3 V
漏源電壓 VDS：5 V
噪聲系數：1 dB
增益：16 dB
頻率：2 GHz
技術類型：HBT
RoHS：是
產品種類：射頻GaAs晶體管
制造商：CEL

以上是NE52418-A的詳細信息，包括NE52418-A廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管   JFET   IGBT 晶體管   開關晶體管 - 偏壓電阻器   IGBT 模塊  

兩極晶體管 - BJT 最新產品：

SMUN5113DW1T1G

SMUN5313DW1T1G

NSVBC143ZPDXV6T1G

UMD2NFHATR

RN4610(TE85L,F)

RN2607(TE85L,F)

RN2602(TE85L,F)

RN1601(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

EMD53T2R