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NE425S01

廠家:
  NEC/CEL
封裝:
 S0-1
數量:
 5814  
說明:
 射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET
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NE425S01-S0-1圖片

NE425S01 PDF參數資料

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中文參數如下:

包裝形式:Bulk
封裝形式:S0-1
安裝風格:SMD/SMT
功率耗散:165 mW
最大工作溫度:+ 125 C
漏極連續電流:90 mA
閘/源擊穿電壓:- 3 V
漏源電壓 VDS:4 V
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :60 mS
噪聲系數:0.6 dB
增益:12 dB
頻率:12 GHz
技術類型:HEMT
RoHS:是
產品種類:射頻GaAs晶體管
制造商:NEC

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