色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > NE3512S02-A

NE3512S02-A

廠家：: CEL
封裝：: S02
數(shù)量：: 3420
說明：: 射頻GaAs晶體管 C to Ku Band Super Low Noise Amp N-Ch

一、本商品被瀏覽0次.

NE3512S02-A PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
封裝：S02
封裝/外殼：4-SMD，扁平引線
安裝類型：-
電壓 - 額定：4 V
功率 - 輸出：-
電流 - 測(cè)試：10 mA
噪聲系數(shù)：0.35dB
額定電流（安培）：70mA
電壓 - 測(cè)試：2 V
增益：13.5dB
頻率：12GHz
配置：-
技術(shù)：GaAs HJ-FET
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：散裝
品牌：CEL

以上是NE3512S02-A的詳細(xì)信息，包括NE3512S02-A廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：