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NDT452AP_J23Z

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SOT-223
數(shù)量:
 2574  
說(shuō)明:
 MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode
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NDT452AP_J23Z PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:40 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時(shí)間:20 ns
功率耗散:3 W
最小工作溫度:- 65 C
下降時(shí)間:19 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-223
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.065 Ohms
漏極連續(xù)電流:- 5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:- 30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是NDT452AP_J23Z的詳細(xì)信息,包括NDT452AP_J23Z廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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