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NDT2955_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SOT-223
數量:
 2511  
說明:
 MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE
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NDT2955_Q PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:19 ns
上升時間:10 ns
功率耗散:3 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:6 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-223
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.095 Ohms
漏極連續電流:- 2.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:- 60 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是NDT2955_Q的詳細信息,包括NDT2955_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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